STMicroelectronics: Fortalece su liderazgo en sistemas de control de potencia energéticamente eficientes

STMicroelectronics ha batido el récord mundial en MOSFET de potencia de alta tensión con la última incorporación a la familia MDmesh™ V, la cual ya lideraba la industria en cuanto a rendimiento presentando la mejor resistencia de conducción por área y los niveles más altos de eficiencia y densidad de energía para tensiones nominales de 650 V. Este nuevo producto puede mejorar ahora un valor clave de eficiencia en más del 23%, lo que constituye un progreso enorme en ahorro de energía evitando las pérdidas en forma de calor que generalmente hay en los circuitos de conversión de energía utilizados en sistemas tales como el control electrónico de iluminación, fuentes de alimentación para productos de consumo y convertidores de energía solar.

El nuevo MOSFET STW88N65M5 MDmesh™ V presenta con 0,029 ohmios la resistencia de conducción más baja de la industria para dispositivos de 650 V en un encapsulado TO-247 estándar. Este valor supera la referencia anterior de la industria –0,038 ohmios–, establecida igualmente por un dispositivo de la familia MDmesh™ V. De este modo, los diseñadores de aplicaciones finales se ven capacitados para incrementar la eficiencia energética reemplazando directamente los MOSFET de resistencia más alta o para reducir los costes originados por la lista de materiales (BOM) utilizando menos dispositivos en paralelo. La tensión nominal de 650 V del STW88N65M5 y de otros dispositivos de la familia MDmesh™ V de STMicroelectronics ofrece un margen de seguridad más amplio que el de los dispositivos de 600 V de fabricantes competidores. Esto aumenta la capacidad de los MOSFET de aguantar sobrecargas de tensión que suelen existir en una red eléctrica de corriente alterna.

La tecnología MDmesh™ V de STMicroelectronics, probada en la práctica, está disponible en una amplia gama de encapsulados, incluyendo Max247, TO-247, D2PAK, TO-220/FP, PowerFLAT 8x8 HV e I2PAK.

Características:

• Mejor resistencia RDS(on) del mundo en un encapsulado TO-247
• Tensión nominal VDSS más alta
• Capacidad dv/dt más alta
• Excelente capacidad de conmutación
• Fácil de usar
• Probado al 100% en modo de avalancha

Aplicaciones:

• Aplicaciones de conmutación de alta eficiencia: servidores, inversores PV, infraestructura de telecomunicaciones, cargadores de baterías multi-kW.

Hoja de datos: STW88N65M5