STMicroelectronics: Ausbau der Marktführerschaft bei energieeffizienten Leistungssteuerungen

Mit der Einführung eines neuen Produkts in der MDmesh™ V-Familie, die bereits in der Vergangenheit mit ihren Leistungsmerkmalen auf dem Markt führend war, hat STMicroelectronics den internationalen Rekord bei Hochspannungs-Leistungs-MOSFETS eingestellt. Die Bauteile zeichnen sich durch den niedrigsten Einschaltwiderstand pro Fläche aus, der für den höchsten Wirkungsgrad und höchste Leistungsdichte in der 650V-Spannungsklasse sorgt. Damit konnte jetzt eine wichtige Maßzahl für den Wirkungsgrad um mehr als 23% erhöht werden.

Dies ist ein Riesensprung im Hinblick auf die Einsparung von Energie, die bei Leistungswandlerschaltungen, wie sie bei elektronischen Beleuchtungssteuerungen, Netzteilen für Verbraucherelektronik oder Solarumrichtern verwendet werden, normalerweise als Wärme verloren geht. Mit 0,029 Ohm bietet der vor Kurzem auf dem Markt eingeführte MOSFET STW88N65M5 MDmesh™ V den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand bei 650V-Bauteilen im Standard-TO-247 -Gehäuse. Dies übertrifft sogar den bisherigen Benchmark-Wert von ST, der bei 0,038 Ohm lag und ebenfalls von einem Bauteil aus der MDmesh™ V -Produktreihe erzielt wurde. Damit werden die Entwickler von Endanwendungen in die Lage versetzt, die Energieeffizienz unmittelbar zu erhöhen, indem sie MOSFETs mit höheren Widerständen austauschen oder weniger Bauteile parallel einsetzen und so Bauteilgrößen und Bauteilkosten reduzieren.

Der ST-STW88N65M5 und andere MDmesh™ V -Bauteile von ST arbeiten mit einer Spannung von 650 V. Dies bietet einen größeren Sicherheitsfaktor im Vergleich zu zahlreichen 600-V-Bauteilen, wie sie von anderen Herstellern angeboten werden. Dadurch steigt die Widerstandsfähigkeit des MOSFETs gegenüber Spannungsspitzen, wie sie häufig auf Wechselspannungs¬leitungen vorhanden sind.

Die bewährte MDmesh™ V-Technologie von ST wird in zahlreichen Gehäusetypen angeboten, darunter Max247, TO-247, D2PAK, TO-220/FP, PowerFLAT 8x8 HV und I2PAK.

Merkmale:

• Weltweit bester RDS(on) in TO-247
• Höherer VDSS -Wert
• Bessere dv/dt -Fähigkeit
• Hervorragende Schaltleistung
• Einfache Ansteuerung
• 100% auf Stoßentladung geprüft

Anwendungen:

• Hochleistungs-Schaltanwendungen: Server, PV-Wechselrichter, Telekommunikationsinfrastruktur, Hochleistungs-Batterieladegeräte

Datenblatt: STW88N65M5